سامسونج تتفوق على TSMC؟ تطوير رقائق 3nm قيد التنفيذ
يؤدي الإنتاج الأكثر كفاءة في استخدام الطاقة في المقام الأول إلى توفير البطارية (ولكن ليس فقط) للمستخدمين النهائيين. الشركات في القطاع مثل TSMC بدأت بالفعل في التفكير في الإنتاج بالرغم من ذلك اي مشاكل من نوع ما. سامونج كما بدأ الإنتاج كما كشفت عنه الشركة نفسها أمس من خلال أ بيان رسمي. لذلك ألقى العملاق الكوري التحدي للعلامة التجارية الأخرى. من سيصل أولاً؟
بدأت شركة Samsung في إنتاج الرقائق بمختلف أنواعها باستخدام عملية الطباعة الحجرية 3 نانومتر. ماذا يعني ومتى سيتم إطلاق الأجهزة الأولى؟
وفقًا لشركة Samsung ، على الرغم من انخفاض مساحة رقائق الجيل التالي بنسبة 16٪ مقارنةً بحلول 5nm ، فإن أداء رقائق 3nm سيزداد بمقدار 23% وكفاءة الطاقة في 45%. عند إنشاء مثل هذه الدوائر الدقيقة ، سيتم استخدام بنية الترانزستور بوابة شاملة (GAA)، التي حصلت على الاسم التجاري Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). اجمع بين قنوات بوابة أوسع للسماح بمرور الكهرباء عن طريق خفض مستويات الجهد مقارنةً بـ FinFET.
اقرأ أيضا: يعلن TSMC الجناة الحقيقيين لأزمة الرقائق
تدعي Samsung أن عقدة العملية 3nm تقدم ملف تصميم مرن مما يسمح له بضبط عرض القناة وفقًا لاحتياجات العملاء. بالإضافة إلى ذلك ، فإن تطوير الجيل الثاني من الرقائق في نفس العملية فني مع تحسين استهلاك الطاقة (50٪) وتحسين الأداء (30٪) والسطح (35٪).
لم تؤكد Samsung بعد من سيكون العملاء للدفعة الأولى من معالجات 3nm. وفقًا للشائعات ، بمجرد إنشاء الإنتاج الضخم ، كوالكوم يمكن أن تطلب دفعة كبيرة لإنشاء منصات متنقلة الجيل القادم من Snapdragon. نذكر في هذا الصدد أن سامسونج أعلنت الشهر الماضي أنها تخطط لإنفاق 355 مليار دولار على مدى السنوات الخمس المقبلة لتطوير أعمالها في مجال أشباه الموصلات.
